Do ponto de vista profissional, o processo de produção de um chip é extremamente complicado e tedioso.No entanto, da cadeia industrial completa de IC, ela é dividida principalmente em quatro partes: design de IC → fabricação de IC → embalagem → teste.
Processo de produção de chips:
1. Projeto de chips
O chip é um produto de pequeno volume, mas de altíssima precisão.Para fazer um chip, o design é a primeira parte.O design requer a ajuda do design do chip necessário para o processamento com a ajuda da ferramenta EDA e alguns núcleos IP.
Processo de produção de chips:
1. Projeto de chips
O chip é um produto de pequeno volume, mas de altíssima precisão.Para fazer um chip, o design é a primeira parte.O design requer a ajuda do design do chip necessário para o processamento com a ajuda da ferramenta EDA e alguns núcleos IP.
3. Levantamento de silício
Após a separação do silício, os materiais restantes são abandonados.O silício puro após várias etapas atingiu a qualidade da fabricação de semicondutores.Este é o chamado silício eletrônico.
4. Lingotes de fundição de silício
Após a purificação, o silício deve ser fundido em lingotes de silício.Um único cristal de silício de grau eletrônico depois de fundido em um lingote pesa cerca de 100 kg, e a pureza do silício chega a 99,9999%.
5. Processamento de arquivos
Após a fundição do lingote de silício, todo o lingote de silício deve ser cortado em pedaços, que é o wafer que comumente chamamos de wafer, que é muito fino.Posteriormente, o wafer é polido até ficar perfeito e a superfície fica tão lisa quanto o espelho.
O diâmetro dos wafers de silício é de 8 polegadas (200 mm) e 12 polegadas (300 mm) de diâmetro.Quanto maior o diâmetro, menor o custo de um único chip, mas maior a dificuldade de processamento.
5. Processamento de arquivos
Após a fundição do lingote de silício, todo o lingote de silício deve ser cortado em pedaços, que é o wafer que comumente chamamos de wafer, que é muito fino.Posteriormente, o wafer é polido até ficar perfeito e a superfície fica tão lisa quanto o espelho.
O diâmetro dos wafers de silício é de 8 polegadas (200 mm) e 12 polegadas (300 mm) de diâmetro.Quanto maior o diâmetro, menor o custo de um único chip, mas maior a dificuldade de processamento.
7. Eclipse e injeção de íons
Primeiro, é necessário corroer o óxido de silício e o nitreto de silício expostos fora do fotorresistente e precipitar uma camada de silício para isolar entre o tubo de cristal e, em seguida, usar a tecnologia de gravação para expor o silício inferior.Em seguida, injete boro ou fósforo na estrutura de silício, preencha o cobre para conectar com outros transistores e aplique outra camada de cola para fazer uma camada de estrutura.Geralmente, um chip contém dezenas de camadas, como rodovias densamente entrelaçadas.
7. Eclipse e injeção de íons
Primeiro, é necessário corroer o óxido de silício e o nitreto de silício expostos fora do fotorresistente e precipitar uma camada de silício para isolar entre o tubo de cristal e, em seguida, usar a tecnologia de gravação para expor o silício inferior.Em seguida, injete boro ou fósforo na estrutura de silício, preencha o cobre para conectar com outros transistores e aplique outra camada de cola para fazer uma camada de estrutura.Geralmente, um chip contém dezenas de camadas, como rodovias densamente entrelaçadas.
Horário da postagem: 08/07/2023